3相半桥驱动芯片

型号：PN7136

一、概述

PN7136是一款具有三相独立输出的高压、高速功率MOSFET和IGBT高低侧驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动 2个 N型功率MOSFET或 IGBT结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。该芯片可以通过外部电流感应电阻传送信号对六个输出进行关断，实现过流保护功能。使能端可以同时关断六个输出通道。FAULT端信号用于提示过流或者欠压情况的发生，过流信号的自动清除时间可以通过外部可编程的 RC延时网络提供。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。

二、特点  

     高压范围达+600V

     3.3 V逻辑兼容

     抗dV/dt能力±50V/nsec

     自举工作的浮地通道

     栅驱动电压范围10V～20V

     高低侧欠压保护（UVLO）功能

     防直通逻辑

     过流关断所有通道

     外部可编程的自动清除错误信号时间

     独立的三相驱动

     抗-5V瞬态负Vs能力

     高低侧通道均延时匹配                  

三、封装形式

四、典型应用