MOSFET场效应晶体管

型号：SVF8N60F

一、概述

SVF8N60T/F N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用 士兰微电子F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制造。先进的工 艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越 的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。

二、特性                                       

    8A，600V，RDS(on)(典型值)=1.0Ω@VGS=10V

    低栅极电荷量

    低反向传输电容

    开关速度快 

    提升了 dv/dt 能力

三、应用领域

   AC-DC 开关电源

   DC-DC 电源转换器

    高压 H 桥 PWM 马达驱动

四、封装/订购信息

五、命名规则

六、产品规格分类

七、极限参数