MOSFET场效应晶体管

型号：SVF7N60

一、概述

SVF7N60T/F/S/K/MJ  N 沟道增强型高压功率 MOS 场效应 晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。

二、特性                                       

 7A，600V，RDS(on)(典型值)=0.96Ω@VGS=10V

 低栅极电荷量

 低反向传输电容

 开关速度快 

 提升了 dv/dt 能力

三、应用领域

 AC-DC 开关电源

 DC-DC 电源转换器

 高压 H 桥 PWM 马达驱动

四、封装/订购信息

五、命名规则

六、产品规格分类

七、极限参数