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- MOSFET场效应晶体管-SVF2N60F
- 型号：SVF2N60F
- SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效 应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于AC-DC开关电源，DC-DC电源转换器，高压H桥PWM 马达驱动。
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产品介绍
MOSFET场效应晶体管
型号：SVF2N60
一、概述SVF2N60M/MJ/N/F/T/D N 沟道增强型高压功率 MOS 场效 应晶体管采用士兰微电子的 F-CellTM平面高压 VDMOS 工艺技术制造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。
二、特性
2A，600V，RDS(on)(典型值)=3.7Ω@VGS=10V
低栅极电荷量
低反向传输电容
开关速度快
提升了 dv/dt 能力
三、应用领域
AC-DC 开关电源
DC-DC 电源转换器
高压 H 桥 PWM 马达驱动
四、封装/订购信息
五、命名规则
六、产品规格分类
七、极限参数
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