半桥驱动芯片

型号：PN7103

一、概述

PN7103是一款基于P衬底、P外延的高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动芯片。其浮地通道能工作在600V的高压下，可用于驱动2个N型功率MOSFET或IGBT组成的半桥结构。该芯片逻辑输入电平兼容低至3.3V的CMOS或 LSTTL逻辑输出电平。输出具有大电流脉冲能力。传输延时具有匹配性，以简化在高频下的应用。

二、特点  

   高压范围达+600V

   3.3 V逻辑兼容

   抗dV/dt能力±50V/nsec

   自举工作的浮地通道

   栅驱动电压范围10V～20V

   低侧欠压保护（UVLO）功能

   输出拉灌电流能力300 mA / 600mA

   独立的逻辑输出以适应所有的拓扑结构

   抗-5V瞬态负Vs能力

   高低侧通道均延时匹配       

三、应用

    中小型功率电机驱动

    功率MOSFET或IGBT驱动

    半桥功率逆变器

    全桥功率逆变器

四、封装形式

五、应用电路